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Certains des sujets abordés dans l'application sont:
1. Diode idéale
2. Matériaux semi-conducteurs - résistivité.
3. Matériaux semi-conducteurs GE et SI
4. Niveaux d'énergie
5. Matériaux extrinsèques n-type
6. Matériaux extrinsèques p-type
7. Débit électronique contre trou
8. Transporteurs majoritaires et minoritaires
9. Diode semi-conducteur
10. Jonction PN sans biais externe
11. Jonction PN avec condition de biais inverse
12. Jonction PN avec condition de biais avant
13. Caractéristiques des diodes semi-conductrices en silicium
14. Région Zener
15. Caractéristiques générales d'une diode semi-conductrice
16. Effets de la température Diode en silicium
17. DC ou résistance statique
18. AC ou résistance dynamique
19. Résistance à la CA moyenne
20. Diode Circuits équivalent-Piewise-linéaire Circuit équivalent
21. Circuit équivalent simplifié pour la diode semi-conducteur en silicium
22. Capacité de transition et de diffusion
23. Temps de récupération inversé
24. Diodes émettrices légères
25. Analyse de la ligne de charge
26. Approximations de diode
27. Configurations de diodes de série avec entrées CC
28. Rectifier à demi-onde
29. Effet de la TV sur le signal rectifié par les ondes demi-ondes
30. Piv de tension inverse pic (PRV).
31. Réseau de rectification à ondes complètes
32. Réseau de pic de tension inverse pic
33. Transformateur à plateau central
34. Transformateur à plateau central-PIV
35. Série-Clipateurs
36. Clipper à biais parallèle
37. Clampers
38. Zener Diodes
39. Zener Diodes - VI fixe, RL variable
40. Zener Diodes - Rl fixe, variable VI
41. Doubleur à tension à moitié
42. Doubleur à ondes à pleine onde
43. Tripler de tension et quadrupler
44. Introduction au biais du transistor
45. Courant de collecteur de signaux zéro approprié
46. Tension minimale de l'émetteur de base appropriée
47. VCE minimum approprié à tout instant
48. Point de fonctionnement
49. Stabilisation.
50. Facteur de stabilité
51. Méthode de la résistance de base de la base de la transistor
52. Circuit de biais de biais de transistor
53. Courant de collecteur de circuit de biais de l'émetteur (IC).
54. Tension de Circuit-Collector-Emitter de l'émetteur (VCE).
55. Émetteur de biais de circuit-stabilité
56. Polaing avec résistance de rétroaction des collectionneurs
57. Méthode de biais de diviseur de tension.
58. Conception de circuits de biais de transistors
59. Polarisation du point médian
60. Oscillateurs
61. Amplificateurs opérationnels
62. Bius de transistor
63. Transistors à effet de champ
64. Alimentation réglementée
65. signaux et amplificateurs à plusieurs étages
66. Transistors à haute fréquence
67. Transistor bipolaire
68. Bipolaire de jonction transistor bipolaire
69. Relation entre les différents courants dans un transistor
70. Configuration de base BJT-COMMON
71. Caractéristiques de configuration de base de base BJT-COMMON
72. Configuration de base bjt-commun - caractéristique d'entrée
73. Circuit équivalent d'un transistor: (base commune)
74. Amplificateur de base commun
75. Circuit équivalent de base de base commune-AC
76. Configuration de l'émetteur BJT-COMMON
77. BJT- Configuration de l'émetteur commun - Caractéristique d'entrée:
78. Caractéristique de sortie de configuration de l'émetteur de BJT-COMMON:
79. Gain de courant de signal de configuration de l'émetteur commun
Analog Electronics fait partie de l'électronique, des cours d'éducation en génie électrique et des programmes de diplôme technologique dans diverses universités.
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