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应用程序中涵盖的一些主题是：
1。理想二极管
2。半导体材料 - 电阻率。
3。半导体材料GE和SI
4。能级
5。外部材料N型
6。外部材料P型
7。电子与孔流
8。多数和少数派承运人
9。半导体二极管
10。没有外部偏见的PN交界处
11。逆向偏置条件的PN连接
12。pN连接处的前进状态
13。硅半导体二极管特性
14。齐纳地区
15。半导体二极管的一般特征
16。温度效应硅二极管
17。DC或静态阻力
18。AC或动态电阻
19。平均交流电阻
20。二极管等效电路picewise-linear等效电路
21。硅半导体二极管的简化等效电路
22。过渡和扩散电容
23。反向恢复时间
24。发光二极管
25。负载线分析
26。二极管近似
27.带有直流输入的系列二极管配置
28。半波整流器
29。vt对半波整流信号的影响
30。峰值逆电压PIV（PRV）。
31。全波整流桥网络
32。峰值逆电压PIV桥网络
33。中心敲击变压器
34。中心敲击变压器-PIV
35。系列剪辑
36。平行偏置的快船
37。夹具
38。齐纳二极管
39。齐纳二极管 - 固定VI，可变RL
40。齐纳二极管 - 固定RL，可变VI
41。半波电压增倍量
42。全波电压加倍
43。电压三倍器和Quadrupler
44。晶体管偏置简介
45。正确的零信号收集器电流
46。适当的最小碱发射器电压
47。任何瞬间适当的最小VCE
48。操作点
49。稳定。
50。稳定性因子
51。晶体管偏置基电阻法
52。晶体管偏置偏置电路
53。发射器偏置电路接收器电流（IC）。
54。发射器偏置电路收集器发射器电压（VCE）。
55。发射器偏置电路稳定性
56。与收集器反馈电阻有偏见
57。电压分隔偏置法。
58。晶体管偏置电路的设计
59。中点偏见
60。振荡器
61。操作放大器
62。晶体管偏置
63。现场效应晶体管
64。受监管的电源
65。信号和多阶段放大器
66。高频的晶体管
67。双极晶体管
68。双极晶体管结构偏置
69。晶体管中不同电流之间的关系
70。BJT-COMMON基本配置
71。bjt-common基础配置输出特性
72。bjt-common基础配置 - 输入特征
73。晶体管的等效电路：（公共基数）
74。公共基础放大器
75。公共基础放大器-AC等效电路
76。bjt-common发射极配置
77。bjt-常见发射极配置 - 输入特征：
78。bjt-common发射器配置输出特征：
79。常见的发射极配置大量信号电流增益
Analog Electronics是各大学电子，电气工程教育课程和技术学位课程的一部分。
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